IT之家6月29日消息，抢先据BusinessKorea报道，台积将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的电消3纳米半导体。

报道称，息称星电芯片三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的将于3纳米半导体。GAA晶体管结构优于目前的月日FinFET结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。开始

如果消息属实的量产话，那么三星电子将抢先和量产3纳米芯片，纳米后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。抢先

今年早些时候，台积一些行业观察家提出担心，电消由于产量低的息称星电芯片问题，三星电子可能推迟3纳米半导体的将于大规模生产。然而，月日这些担忧被证明是毫无根据的。

IT之家了解到，在竞争激烈的3nm制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极（GAA）晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子此前曾表示，采用全环绕栅极晶体管技术的3nm制程工艺，同当前的鳍式场效应晶体管架构相比，性能将提升30%，能耗降低50%，逻辑面积效率提升超过45%。